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Semiconductor Physics 2

Semiconductor Physics 2

Es handelt sich um einen Masterstudiengang, der nur für Studenten angeboten wird, die noch nach der alten Prüfungsordnung der Universität eingeschrieben sind. Er wird nicht mehr für neue Studenten angeboten.

Modulleiter: Prof. Dr. B. Choubey

Dozent: Prof. Dr. B. Choubey

Sprache: Englisch

Zeitaufwand: Persönlich: 60 h, Selbststudium: 50 h, Prüfungsvorbereitung: 40 h

Leistungspunkte: 5



Lernergebnisse   
 
Ziel der Lehrveranstaltung Halbleiterelektronik II ist die Vermittlung von Kenntnissen auf dem Gebiet der High-Level-Halbleiterbauelemente unter Verwendung festkörperphysikalischer Modelle. Die exemplarische und vertiefte Behandlung grundlegender Bauelemente wie Bipolartransistor und MOS-Feldeffekttransistor mit dem Ziel der Beschreibung der Leistungsdaten dieser Bauelemente als Funktionshalbleiter, technologischer und geometrischer Parameter soll die Studierenden in die Lage versetzen, ähnliche Problemstellungen, wie sie bei der Entwicklung und Optimierung moderner Halbleiterbauelemente in Wissenschaft, Forschung und Anwendung in der Industrie auftreten, zu bearbeiten. Die erworbenen Kenntnisse sollen den Studierenden in der mikroelektronischen Industrie und an wissenschaftlichen Einrichtungen zu einer selbständigen Tätigkeit verhelfen, insbesondere in der Forschung und Entwicklung, der Produktion und der Produktentwicklung.  

Lehrplan

In der Vorlesung Halbleiterelektronik werden die elementaren physikalischen Vorgänge im Halbleiter und die Eigenschaften der wichtigsten Halbleiterbauelemente, insbesondere der MOS- und MOSFET-Bauelemente, behandelt. Die Übungen beinhalten praktische Berechnungsaufgaben als Ergänzung zur eher theoretischen Vorlesung.  

Prüfungsform: K2

Medien:
Präsentationen werden online auf Moodle gestellt

Lehrbuch:

1.    Solid State Electronic Devices von Ben Streetman und Sanjay Banerjee, Prentice Hall
2.    Semiconductor Physics and Devices von Donald Neamen, McGraw-Hill, Inc. New York, NY, USA

Nachschlagewerke:

1.    Halbleiterbauelemente, K. Kano, Prentice Hall
2.    Physics of Semiconductor Devices, S.M. Sze und K.K. Ng, Wiley

 
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